仓位预设：根据风险偏好设定仓位比例，散户核心池标的不超过总资金 30%，私募不超过组合 50%。
第二步：事中跟踪（2026 年 1-6 月）—— 动态调整持仓
数据监测：每月跟踪三个关键数据：大厂存储器代工营收增速（需≥30%）、标的长期协议新增金额（每月≥1 亿元）、存储器价格涨幅（HBM≥10%/ 月）；
信号应对：若某标的连续两个月未达标，减持 50% 仓位；若台积电、中芯国际出现产能利用率下滑（低于 85%），立即清仓沾边层标的；
情绪管理：当板块换手率单日超 25%，且游资席位净买入占比超 60%，减持卫星池标的。
第三步：事后离场（2026 年二季度后）—— 把握兑现时机
离场信号：出现任一信号即启动离场：存储器价格同比涨幅收窄至 10% 以下、标的 PE 分位值突破 90%、大厂资本支出同比下滑；
分批撤退：先减持沾边层标的（100% 清仓），再减持受益层（保留 50%），最后根据核心层业绩决定是否保留（营收增速≥20% 则保留 30%）；
资金再配置：离场资金优先转向存储器下游应用标的，如 AI 服务器、汽车电子企业。
“2017 年存储器周期的离场信号是‘大厂扩产产能释放’，现在的预警线可以参考‘台积电 3nm 产能利用率跌破 80%’。” 吴老师补充道，“周期行情的投资，既要敢追涨，更要会逃顶。”
五、风险预警：概念股炒作的三大陷阱
在布局机遇的同时，吴老师特别提醒客户警惕三类风险，这也是其经历两次存储器周期的经验总结。
（一）产能释放不及预期风险
“晶圆代工扩产有‘三重门槛’：设备交付、技术爬坡、客户验证。” 吴老师团队测算，台积电亚利桑那 Fab1 的 3nm 产能若因设备延迟交付导致量产时间推迟至 2026 年 Q2，HBM 代工缺口将缩小 40%，江丰电子的相关业务利润率将从当前的 35% 降至 25% 以下。其团队已建立 “大厂产能 - 价格” 联动模型，一旦产能爬坡速度低于预期，立即发出减持预警。
（二）技术替代风险
存储器技术迭代速度快，HBM3e 已进入样品阶段，若三星的 3nm GAA 工艺在 HBM 中的应用进展超预期，将对采用 28nm 工艺的 NAND 代工标的形成冲击。吴老师提醒持有南大光电的客户：“若中芯国际加速向 14nm NAND 工艺迭代，而公司的 14nm 光刻胶未完成认证，相关业务将面临萎缩风险。”
（三）地缘政治风险
美对半导体设备的出口限制仍存变数，长江存储 > 300L NAND 的量产计划已受影响，若限制进一步升级，中芯国际的存储器代工产能扩张可能停滞。吴老师建议持有中芯国际关联标的的客户，密切关注美国商务部的设备出口许可进展：“若 2026 年前中芯国际无法获得 14nm 设备许可，其存储器代工业务增速将从当前的 50% 降至 20% 以下。”
