当 HBM（高带宽存储器）价格年内涨幅突破 120%，当长江存储 234L NAND 闪存产能利用率飙升至 95%，当台积电为存储器代工业务单列 400 亿美元资本支出，这个被 TrendForce 预测 2026 年市场规模将达 1180 亿美元的赛道，正迎来供需失衡与技术迭代的双重催化。兆易创新 11 月股价累计上涨 45%，长电科技代工订单排期延至 2026 年 Q2 的异动，更让市场嗅到了 2017 年存储器超级周期的味道。深耕半导体产业研究十余年的吴老师，在其股票合作服务中早已将此次紧缺定义为 “结构性机会的分水岭”—— 通过解码台积电、三星、中芯国际等大厂的战略表态与产能动作，既能捕捉真紧缺带来的业绩爆发机会，更能规避伪概念炒作的陷阱。本文以吴老师的合作实践为脉络，解析如何在存储器紧缺周期中把握投资节奏。
一、紧缺本质：为什么晶圆代工大厂态度决定行情高度？
从 2017 年 DRAM 价格暴涨 7 倍到 2021 年 NAND 闪存短缺，存储器行业每 3-4 年就会迎来一轮周期波动。而此次紧缺与前两次存在本质区别：AI 算力需求催生的 HBM 增量与地缘政治导致的供给收缩形成共振，晶圆代工大厂作为 “产能总开关”，其态度直接决定紧缺周期的长度与强度。
（一）供需失衡：AI 与本土化的双重催化
当前存储器紧缺呈现 “结构性分化” 特征，不同品类的驱动逻辑差异显著，而晶圆代工产能的倾斜方向成为关键变量：
