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私募基金老吴：半导体行业存储设备专题报告——AI驱动存储扩容，设备环节确定性凸显

www.gphztz.com | 作者:吴老师股票合作QQ群：861573022 | 发布时间: 2025-12-31 | 116 次浏览 | 分享到:
从具体应用场景来看，AI大模型训练场景对高端存储设备的需求最为迫切。以某主流千亿参数大模型为例，其训练过程需要调用超过10PB的存储容量，且要求存储设备具备每秒百万级IOPS（输入/输出操作每秒）的并发处理能力。此外，生成式AI的实时交互需求，也要求存储设备具备低延迟的读写性能，以保障用户体验。智能驾驶领域，单台车每天产生的数据量可达100TB以上，这些数据需要通过车载存储设备实时存储并传输至云端进行分析训练，对存储设备的抗震性、稳定性及传输速度提出了严苛要求。

（二）政策端：全球加码半导体产业，国产替代迎来政策红利

半导体产业作为国家科技实力的核心象征，已成为全球各国战略布局的重点领域。2026年，全球主要经济体纷纷出台政策加码半导体产业发展。美国通过《芯片与科学法案》，计划投入520亿美元用于芯片研发与制造，同时加大对半导体设备、材料等核心环节的扶持力度；欧盟推出《芯片法案》，目标到2030年实现半导体产能占全球的20%，并设立专项基金支持产业链核心环节发展。
国内方面，“十五五”规划明确提出“突破半导体存储、先进制程芯片等关键核心技术，推动半导体产业链自主可控”。地方层面也纷纷出台配套政策，通过财政补贴、税收优惠、土地支持等方式，支持半导体存储设备企业的研发与生产。此外，国家大基金二期持续加大对半导体存储产业链的投资力度，重点布局存储芯片制造、存储设备、材料等核心环节，为国产替代进程提供了坚实的资金支持。2026年，国内半导体存储设备行业国产替代率预计将从2025年的18%提升至25%，政策红利持续释放。

（三）技术端：存储介质与接口技术迭代，驱动行业升级

2026年，半导体存储设备行业迎来技术迭代的密集期，存储介质与接口技术的突破成为驱动行业升级的核心动力。在存储介质方面，NAND Flash技术从3D NAND向4D NAND迭代，堆叠层数从512层提升至1024层，存储密度大幅提升，单位存储成本持续下降。据测算，1024层4D NAND的存储密度较512层3D NAND提升100%，单位存储成本下降30%以上。同时，MRAM（磁随机存取存储器）、ReRAM（阻变存储器）等新型非易失性存储技术逐步从实验室走向商业化，其具备读写速度快、功耗低、寿命长等优势，有望在高端存储场景实现对传统存储介质的替代。
在接口技术方面，PCIe 5.0接口逐步成为主流，其传输速率达到32GB/s，较PCIe 4.0提升100%；DDR6内存的传输速率达到12.8Gbps，较DDR5提升60%，能够有效满足AI场景下高带宽的数据传输需求。此外，NVMe协议的普及应用，进一步提升了存储设备的读写性能，NVMe SSD的读写速度较传统SATA SSD提升3-5倍，成为AI服务器、高端PC等场景的核心存储设备。技术迭代不仅提升了存储设备的性能，也推动了行业的产品升级与结构优化，为具备核心技术优势的企业带来了发展机遇。
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