中晶科技能首次入选，正是在这三个维度均达到行业领先水平：技术上，12 英寸硅片与碳化硅单晶炉关键指标比肩国际；市场上，8 英寸硅片市占率 18%、半导体级单晶炉市占率 8%；成长上，近三年营收复合增长率 32%，研发投入占比 8.7%，完全符合十强评选标准。
在竞争激烈的半导体设备行业，中晶科技能脱颖而出，关键在于构建了 “技术协同、市场互补、成本可控” 三大差异化优势，与其他十强企业形成错位竞争。
国内多数半导体设备十强企业聚焦单一设备环节（如北方华创专注刻蚀、薄膜沉积，晶盛机电专注晶体生长），而中晶科技是唯一同时掌握半导体硅材料与晶体生长设备核心技术的企业，这种 “材料 + 设备” 协同模式具备两大优势：
研发协同：设备研发可直接结合硅材料生产需求优化参数，缩短迭代周期。例如，2025 年公司为提升 12 英寸硅片良率，针对性改进单晶炉的温度控制系统，将温度波动从 ±1℃降至 ±0.5℃，硅片良率从 95% 提升至 98%，研发周期仅 6 个月，较行业平均缩短 30%；
客户协同：为客户提供 “设备 + 材料” 一体化解决方案，增强客户粘性。例如，2025 年为天岳先进提供碳化硅单晶炉的同时，配套供应碳化硅衬底，实现 “设备销售 - 材料复购” 的良性循环，天岳先进全年订单金额达 3.2 亿元，较单一设备合作增长 50%；
这种协同模式使公司在细分领域形成 “设备不可替代、材料深度绑定” 的双重优势，成为区别于其他十强企业的核心标签。
当前国内半导体设备高端市场（如 7nm 及以下制程设备）仍由应用材料、东京电子等国外企业主导，国内十强企业多在中高端市场与国外企业竞争，面临 “研发投入高、盈利难度大” 的挑战。中晶科技则采取 “中低端市场突破 + 逐步向高端渗透” 的策略，实现差异化竞争：
中低端市场站稳脚跟：在 8 英寸硅片、光伏级单晶炉等中低端领域，公司市占率分别达 18%、15%，毛利率超 40%，盈利稳定；2025 年中低端业务营收占比 75%，为高端研发提供资金支持；
高端市场逐步渗透：2023 年实现 12 英寸硅片量产，2025 年推出碳化硅单晶炉，逐步进入高端市场；截至 2025 年 10 月，12 英寸硅片高端客户（中芯国际 14nm 制程）订单占比达 30%，碳化硅单晶炉进入天岳先进、三安光电等高端客户供应链；
这种 “先易后难” 的策略，使公司在保证盈利的同时实现技术迭代，避免了其他企业 “高端投入大、盈利难平衡” 的困境，2025 年净利率 19.8%，高于行业平均水平（15%）。
